| 产品特性：采用轮式机 | 是否进口：否 | 产地：陕西西安 |
| 加工定制：是 | 品牌：西安智盈电气 | 型号：ZY-DBC-102 |
| 类型：半导体测试 | 外形尺寸：800*800*1800mm | 重量：500Kg |
| 产品用途：半导体测试 | 规格：轮式 |
系统概念
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，是***的混合集成功率器件， 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。 该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统，选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源，检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性，并对器件的故障信息给予判断处理。
测试功能
测试范围 | 测试参数 |
IPM | BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, VEC, Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt, T_MEAS, V_MEAS |
IGBT | ICES BVCES IGES VF VGEON VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT) |
DIODE | VF-Temp,Temp, VF revision |
参数指标
静态参数 | 上桥参数 | 动态参数 |
上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) | 集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V | |
上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) | 集电极电流/Ice： 10～7***/±3%/1A | |
上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) | VD=VBS=15V/±3%/0.1V | |
上桥驱动IC高端静态工作电流测试（Iqbs-U V W） | VIN=0～5V/±3%/0.1V | |
上桥欠压保护监测电平（UVbsd-U V W） | ton-L : 10～500nS/±3%/1nS | |
上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W） | tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS | |
上桥驱动IC导通阈值电压测试（Vth（on）-UH VH WH） | toff-L: 50～500nS/±3%/1nS | |
上桥驱动IC关断阈值电压测试（Vth（off）-UH VH WH） | tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS | |
上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH） | Trr-L :10～500nS/±3%/1nS | |
上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH) | Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | |
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | ||
下桥IGBT/FRD漏电流测试（Ices-L） | 下桥参数 | 集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V |
下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL） | 集电极电流/Ice:10～7***/±3%/1A | |
故障输出电压测试（Vfoh Vfol） | VD=VBS=15V/±3%/0.1V | |
过流保护阈值电压测试（Vcin（ref）） | VIN=0～5V/±3%/0.1V | |
下桥欠压保护监测电平（UVdd）VD=VBS=15V | on-L : 10～500nS/±3%/1nS | |
下桥欠压保护复位电平（UVdr） | tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS | |
下桥驱动IC导通阈值电压（Vth（on）-UL VL WL） | toff-L: 50～500nS/±3%/1nS | |
下桥驱动IC关断阈值电压（Vth（off）-UL VL WL） | tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS | |
下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL） | Trr-L :10～500nS/±3%/1nS | |
下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL) | Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ | |
Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
