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DBC-112 可控硅静态综合测试设备西安智盈电气科技半导体测试

DBC-112 可控硅静态综合测试设备西安智盈电气科技半导体测试

针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。

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张女士
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联系方式

  • 联系人:
    张女士
  • 职   位:
    总经理
  • 手   机:
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  • 地   址:
    陕西 西安 长安区 沣东新城中兴深蓝科技产业园
产品特性:采用轮式机是否进口:否产地:陕西西安
加工定制:是品牌:西安智盈电气型号:DBC-112
类型:半导体测试外形尺寸:800*800*1800mm重量:520Kg
产品用途:半导体测试规格:轮式

系统概述                                                                               

针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。

测试方法灵活,可测试单个单元和多单元的模块,系统安全稳定,整体采用轮式机柜集成测试,具有简洁的人机交互界面(计算机)和良好的保护措施,操作简单,移动方便等特点。

系统单元及参数条件

门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

阳极电压:12V阳极串联电阻:6Ω

门极触发电压:0.3~5.00V ±3%±10mV  门极触发电流:2~450mA ±3%±1 mA

维持电流测试单元IH

阳极电压:12V

预导通电流:>10A,正弦衰减波  维持电流: 2~450mA  ±5%±1 mA

测试频率:单次

通态压降测试单元VTM

平板器件通态电流:0.10~10.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

模块器件通态电流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

电流上升沿时间:≥5ms

通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

测试频率:单次

断态电压/断态漏电流VD/ID

反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

阻断电压:0.20~8.50kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模块单元阻断电压:0.20~4.00kV

正反向自动测试

正/反向漏电流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护,测试频率: 50HZ

断态电压临界上升率测试单元dv/dt

电压:1200V,1600V,2000V三档, 1V,±5%  电压过冲范围:<50V±10%

DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs,1200V/μs±10%

阻断参数测试单元

测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。

擎住电流IL

100-1800mA

平板夹具压力范围

6-60KN,气动加压方式

门极电阻

5-50R

计算机控制系统

设备的所有工作程序,工作时序,开关的动作状态,数据的采集等均由计算机完成。工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。


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